MCP屏蔽采煤机电缆1140V MCP矿用电缆

　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，MCP矿用电缆绝缘栅双极晶体管）已被广泛使用，高电压和大电流是其未来的发展方向，MCP矿用电缆近年来，它已在高压直流输电领域得到应用。着功率容量的不断提高，对设备的设计和制造提出了更高的要求。了缩短设计周期，提高效率，降低制造成本，应采用计算机仿真，以大大提高工作效率。文使用ISE软件根据带外情况进行仿真研究。果表明，该软件仿真方法可以有效指导设备生产。于高压高电流IGBT的制造，MCP传统的外延方法不再适用[1]。MCP矿用电缆将器件直接放置在硅单晶上已导致工艺流程的改变。了提高效率，MCPMCP降低制造成本，从单晶硅材料的选择到加工技术的每一步都有系统和严格的要求[2]。算机仿真设计方法可以显着提高生产可靠性，包括结构过程仿真，电气特性仿真和布局设计[3]。用计算机软件对IGBT器件的过程进行仿真，即，通过适当调节扩散过程的温度，时间和气氛，MCP矿用电缆采煤机模拟了最佳器件参数，例如硼-磷结深度，采煤机并最终获得了理想的器件结构。文设计的IGBT器件是基于透明阳极技术的NPT型IGBT。用环形现场卡的混合终端结构[4]。程仿真的二维结构如图1所示。过程仿真生成的器件结构的电特性进行了仿真，MCP矿用电缆MCP矿用电缆并获得了器件关键参数的仿真曲线[5]。
　　值电压的仿真。真结果表明，影响阈值电压的因素首先是P阱区的掺杂浓度及其杂质分布，采煤机然后是栅氧化层的厚度。电缆发现器件的通道越长，杂质的分布越平坦，并且越容易控制阈值电压。在实际工艺中，由于P阱区的掺杂和退火工艺与杂质的重新分布密切相关，因此应该对其进行优化，MCP矿用电缆以最大程度地减小P阱区的杂质分布的波动。以获得更稳定的阈值电压。最终提高了设备​​参数的一致性和一致性[6]。值电压的特性曲线在图2中示出。

　　真结果表明，采煤机芯片厚度，MCP矿用电缆衬底掺杂浓度，P体掺杂浓度和栅氧化层厚度都是影响该状态下特性的因素。通状态下的特性曲线如图3所示。真结果表明，影响开关参数的因素包括P 阳极的掺杂浓度，电缆栅氧化层的厚度，MCP多晶硅的厚度和掺杂浓度。果存在N 缓冲层，电缆则与掺杂浓度和缓冲层（7）的厚度有关。开关参数与芯片的总体布局，MCP特别是多晶硅栅极的布局结构有很大关系。
　　关特性曲线如图4所示。据过程仿真的结果，电缆确定器件的横向尺寸，并绘制芯片布局，如图5所示。

　　
　　过过程仿真和仿真器的电气特性进行仿真IGBT，电缆充分结合了流片测试情况，研究结果表明，计算机仿真结果与测试数据非常吻合，MCP矿用电缆电缆为器件的制造提供了有力的支持[8]。
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