由于低压差分信号传输（LVDS）技术在传输速度，抗电磁干扰和功耗方面具有明显的优势，因此在航空航天领域得到了广泛的应用。国。了确保信号传输的同步和电磁兼容性，LVDS电缆中每条信号线的长度很小，严格要求屏蔽间隔。文介绍了如何在处理LVDS电缆时控制信号线的长度并增强屏蔽处理，以及监控特定的电缆处理以确保LVDS电缆满足性能要求。键词：LVDS，GBL数据线，屏蔽层简介低压差分信号传输技术称为低压差分信号（LVDS）技术，它是一种差分低幅度摆幅信号技术[1] 。允许在差分对印刷电路或平衡电缆上传输信号，理论最大传输速率为3 Gbps。
型的LVDS信号振荡为350 mV，相应的功耗非常低[2]。类似的信号传输技术相比，LVDS技术在传输速率，电磁干扰和功耗方面具有明显的优势。传输速率方面，LVDS技术可以实现点和点之间800 Mbps的传输速率，以及多点互连之间高达400 Mbps的传输速率[3]。于电磁干扰，由于LVDS技术使用双线信号传输，因此两条信号线周围的电磁场抵消，因此比电磁信号传输场小得多。一行。功耗方面，由于LVDS技术由恒流源模式驱动且电压信号的幅度较低，因此在传输过程中仅消耗非常小的功率并且功耗几乎为零。管频率如何都是恒定的。
LVDS电缆处理条件为了减少同一电缆中的信号传输延迟并提高同步传输性能，同一LVDS电缆中每条信号线的长度差异必须不超过不是20毫米。19根信号线电缆为例，即19根信号线，最长信号线与最短信号线之间的长度差异不超过20毫米。加工过程中，必须通过捆扎电缆时引入的长度差异以及由电缆的待焊接端部的位置引起的长度差来克服这种差异。
此，有必要定义合理的电缆切割长度，以使特定处理对应于消除安装约束所需的电缆长度余量。了保证电缆在EMC（抗干扰）领域的性能，有必要尽可能减少每条数据线上的屏蔽间隙。此，在处理电缆时，每条信号线上的非屏蔽部分应尽可能短。需要克服由钎焊操作引起的数据线屏蔽的剥离长度的刚性要求并有效地屏蔽每条数据线。LVDS电缆数据线的选择GORE生产的GORE平衡双绞线电缆由于其优异的信号传输性能，被广泛用于LVDS接口之间的信号传输。GBL线由绝缘层，屏蔽层，绕组线，导体和负载组成。普通的双绞屏蔽线相比，GBL线的最大特点是在结构中采用屏蔽内部处理，即排扰线是连接到线层的裸线。
蔽。组装数据线时，每条数据线中的排扰线焊接到电连接器的触点，以在单独的单元内提供屏蔽。于其特殊的结构，GBL系列在选择时具有一定的局限性。
GBL-120-26数据线为例，其特征阻抗为120Ω，导体直径为26＃，整条数据线的直径为4 mm。很难并且电连接器存在一些困难。外，GBL线的两个导体的所述绝缘层是柔软并且，常规的LVDS电缆的发展过程中，在GBL线铠装层的金属丝贯穿导体的绝缘层并且与芯线接触位于司机。
此，通常，必须在电连接器壳体外部处理GBL线的屏蔽。电连接器J14A-101TK为例，触点末端与连接器后端之间的距离约为25 mm。果GBL线的屏蔽层在连接器外壳外部进行处理，则GBL线的端罩层的剥离长度必须为30mm或更大，并且难以保证EMC性能。缆。
于加工难度，实际需求和其他因素，决定使用Raychem生产的26＃双绞屏蔽线（55 / 1322-26-9 / 96-9）作为LVDS电缆数据线。LVDS电缆的处理保证为了同步数据传输和EMC性能，必须严格控制LVDS电缆中每条数据线的长度偏差和非屏蔽部分的长度。度偏差保证测量以电缆为例：根据设计要求，两个电连接器盖后端之间的电缆长度为2200 mm，每条数据线的长度偏差为电缆不超过20毫米。先，必须严格控制每条数据线的删除长度。于J14A-101TK / TJ电连接器焊接杯的根部距后盖后端约30 mm，因此数据中心电线和焊杯的覆盖长度为约3毫米。此确定每条数据线的导线长度得到保证。据线的长度公差在+ 10mm之间，并且在数据线的两端存在接缝余量。删除19行数据之后，仔细梳理它们并且不再允许线程的扭曲。次，在钎焊过程中必须严格控制绝缘层的剥离长度。焊接之前，将19条数据线的绝缘层全部剥离。
绝缘层的剥离长度在12mm和15mm之间，内绝缘层的剥离长度在5mm和6mm之间。焊接过程中，
矿用电缆除焊接外，焊丝末端的绝缘层不能去除，每根焊丝最多可焊接一次。样，严格控制电缆后焊接端的长度误差。旦焊接电缆上的电连接器的末端，后盖就安装到位。个线束展开并水平放置在工作台上。直每一行数据并用卷尺测量电缆的长度。剪刀剪断数据线的未密封端。
电连接器后端到数据线未密封端的长度为2240 mm。蔽保证措施包括改进屏蔽层的屏蔽方法，以减少每条数据线上的屏蔽空间。电缆加工过程中，传统的屏蔽层处理方法是：（1）将每根电线的屏蔽层分散，然后分成两部分。（2）扭转相邻导线的屏蔽层，“双手”。
（3）拉动地线并将其安装在连接器的外壳上。方法简单可靠，屏蔽可靠。是，由于需要手动拧紧屏蔽层，因此必须将其拆卸超过20 mm，也就是说电线的焊接端具有至少20 mm的屏蔽槽长。果以这种方式处理LVDS电缆，则很难保证电缆的EMC性能。研究了相关单元的屏蔽处理方法并进行大量验证试验后，决定采用新的屏蔽层处理方法。方法的具体步骤如下：（1）焊接前，每根信号线的屏蔽层末端采用热缩套管保护。（2）所有信号线焊接完毕后，缠绕2至3发约0.5毫米镀银铜线（缠绕在屏蔽末端热缩套管底部）整捆电缆。时缠绕地线。（3）镀锡铜线镀锡在镀银铜线的外侧，使镀银铜线和保护层接触良好。（4）组装连接器时，将地线安装到连接器外壳上。
于新的处理方法不执行屏蔽层的拾取和扭曲操作，因此可以最小化电缆束的屏蔽间隙并且优化LVDS电缆的EMC性能。论在LVDS电缆处理中，严格控制每条信号线的长度和最终处理的长度，以确保整个光束电缆中每条信号线的长度差异小于20 mm 。开发新的屏蔽处理方法时，请确保每条信号线的屏蔽空间小于10 mm。此过程的保证下，经处理的捆扎电缆满足各种性能要求。
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