由于智能电子技术的不断发展，使用传统晶体管的摩尔定律已达到极限，用户迫切需要新一代的半导体技术来进一步减小半导体器件的尺寸。元。
FinFET是一种新型的器件结构，
电缆已成为技术发展方向。文从专利的角度分析了全球和国家的发展趋势以及SOI FinFET器件的重要申请人，并分析了它们的技术热点。析表明，中国的SOI FinFET技术与国外先进水平之间仍存在很大差距，但近年来，对该领域的研究与开发越来越重视，投资也有所增加。年又一年，他们正在逐步追赶。着摩尔定律的减少和芯片集成度的提高，当半导体技术达到22nm时，导致传统MOSFET陷入瓶颈的许多负面影响尤其是短通道效应已大大增加。设备关闭状态下，大电流会导致电流大幅增加。中，新型器件结构FinFET受到越来越多的关注。FinFET架构中，栅极为3D鳍状结构，可以控制电路两侧的电路激活和去激活，图1显示了平面晶体管和晶体管的一般结构。三扇门的FinFET模块[1]。
据衬底结构的特性，
电缆FinFET器件可分为FinFET绝缘体上硅（SOI）器件和FinFET硅块体衬底器件。于SOI器件具有掩埋在衬底中的氧层，因此更容易在SOI衬底上实现FinFET，并且在源极和漏极之间以及器件之间形成自然的电绝缘。
以有效消除泄漏并避免锁定效应。而，二氧化硅的热导率低，这将产生自热效应。此，迁移率，阈值电压，漏极电流和低于器件阈值的斜率都受温度影响。此，在现阶段和将来的CMOS器件的研究和应用中，SOI FinFET器件已经成为技术发展的热点，并面临许多挑战。据专利检索的结果，可以获得SOI FinFET专利申请的总体趋势，该趋势可以分为三个步骤。年，第一个SOI FinFET专利申请已经出现。是加利福尼亚大学的一项专利申请（USB1公开号）。SOI FinFET双栅极结构的栅极形成在沟道的两侧，有效地抑制了短沟道。果并提高了设备的驱动能力。这里，每年SOI FinFET的应用数量稳定在50个左右，这仍处于研究和探索阶段，并且几乎没有大规模的工业应用。于智能电子技术的飞速发展，FinFET作为可以实现进一步集成的设备可以在工业中得到广泛使用。此，在现阶段，SOI FinFET专利申请的数量已大大增加。2010年的40例到2012年的110例，过去两年的增长率几乎翻了三倍，并继续呈上升趋势。据SOI FinFET专利的主要申请人的分析，众所周知，IBM在美国具有绝对优势，其次是台积电。为SOI FinFET技术的支持者，IBM与AMD建立了长期的战略合作伙伴关系，在这一领域具有绝对优势。IBM与Intel的FinFET技术之间的最大区别在于，英特尔继续采用传统的块状硅方法，而IBM的FinFET架构则基于FD-SOI技术。
全耗尽，不仅保留了平面技术的优势，还具有结构绝缘，无掺杂，低能耗和低电压运行的特点。IBM的专利申请之后，TSMC是该领域的主要申请人。FinFET技术最初是由加利福尼亚大学伯克利分校的胡正明教授提出的，并且在2001年至2004年期间担任台积电的技术总监。
年来，台积电在制造方面也显示出强劲的势头。SOI FinFET工业应用。图显示了SOI中国FinFET专利申请数量与全球专利申请数量之间的比率，其发展呈上升趋势（该专利近年来未公开，数据落后了）。
是，中国的第一个SOI FinFET专利申请于2002年出现，比国外晚了两年。国自己开发的SOI FinFET专利申请甚至更晚。2004年，北京大学首次提交了自己开发的内部SOI FinFET内部专利申请（CNA公开号），该技术使用沉积的氮化硅来保护鳍片区域，然后将其氧化。成鳍区的几乎SOI结构。
以看出，中国在FinFET SOI领域起步较晚，但近年来中国应用在全球应用中所占的比例逐渐增加。表明中国近年来在这一领域的研发越来越受到重视。时，通过分析中国专利申请领域，我们可以看到芬菲特在中国拥有自主知识产权的R SOI机构高度集中在上海和北京。管在苏州，无锡，杭州，武汉，成都和西安，半导体设计和制造相对发达，但SOI FinFET领域的研发能力尚待开发。SOI FinFET技术已经开发了很多年，并且其工艺已经减少，因此IBM和Intel之间在14 nm工艺中的竞争变得更加激烈。导体集成电路技术一直在追求高密度，低成本，高速和低功耗，这也突出了对SOI FinFET技术的新要求[2]。
]。前，主要的先进技术有：1）提高操作员的机动性，实现更高的信道控制能力。2）采用侧壁显影技术，确保线宽一致性。3）简化流程并降低成本。4）高密度性能优化，例如使用堆叠结构，改进工艺和新的微结构。上所述，中国的SOI FinFET技术与国外先进水平相比仍存在很大差距，但近年来，中国越来越重视这一领域的研究与开发及其投资。年增加。国可以充分利用自身优势，在SOI FinFET器件上寻找研究热点，以克服曲线问题。
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