绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是近几十年来出现的新器件，旨在推动电力电子技术的发展。是改善性能和节能指标的整个系统的首选。结合了高频，高压和大电流的优点，是电力电子技术第三次革命中最具代表性的产品。文重点介绍其结构，
电缆工作机理，静态特性，动态特性和主要参数，并在2000年初就成功开发了用于此类器件的基本IGBT。1980年代，经过数年的不断改进，在高频和大功率领域中已经成熟。
此，本文还介绍了IGBT的国内外发展情况，详细介绍了IGBT的重要特性及其基本应用技术，并列举了一些应用于该器件的基本电路。用电器，电焊机，电动机等绝缘栅双极型晶体管是一种新型的功率半导体器件，具有以下特性：功率场效应晶体，高输入阻抗和管速，饱和电压双极型晶体管达灵顿高，大电流和高背压。征[2]。设备于1982年由RCA和GE在美国成功生产，并在1980年代后期由于美国IR，SGS和飞利浦，东芝，富士电机和日立公司的改进而商业化。
那时起，其应用技术变得越来越成熟，并在电力电子技术中发挥了重要作用。于功率MOSFET，它与功率MOSFET的不同之处在于，它具有一个额外的p 发射极区域，从该区域中可以去除IGBT的漏极（或集电极），因此IGBT优于MOSFET。PN结。
IGBT的栅极和源极与功率MOSFET的栅极和源极相同。
IGBT的结构可以得到等效电路，
电缆因为非对称IGBT增加的N 区靠近N区，它是N区，但是杂质浓度不同，因此两种不同类型的IGBT的等效电路相同。们都由三个结组成，半导体类型的级别相同。于IGBT是一种以MOSFET为驱动组件，双极晶体管为主要组件的复合器件，因此其导通和关断不可避免地与MOSFET的导通和关断相同，后者由栅极电压控制。将正电压施加到栅极时，在MOSFET中形成沟道，并将基极电流提供给双极晶体管，从而激活IGBT晶体管。N漂移区的RMOD电阻。耐压IGBT也具有低直流电压特性。
向IGBT栅极施加负电压时，MOSFET通道消失，PNP晶体管被禁用，而IGBT被禁用。以看出，IGBT的驱动原理与MOSFET的驱动原理基本相同。于等效双极晶体管是IGBT的主要组件，因此IGBT具有很大的电流传输能力。IGBT的结构与功率MOSFET的结构非常相似，不同之处在于前者使用p 作为衬底，然后在顶部形成n 漂移层n，根据相似的过程在漂移层上制造功率。
IGBT可以通过非常高的输入阻抗和很高的直接传导电流密度进行电压控制。外，已经发现IGBT的导通状态压降随着温度的升高而增加，这使得器件可以并联连接并且在每个器件中具有良好的电流分布。置。IGBT于1980年代初成功开发，并且多年来在性能方面不断提高。已被应用于高频和大功率领域。结合了MOSFET电压控制，低控制功率，易于并联，高开关速度和高电流密度，高电流管理能力以及低晶体管饱和电压特性。
极。晶体管具有高电流密度，高电流处理能力，高电流，高频率和其他更高的性能[1-4]。IGBT主要用于逆变器，低噪声电源，不间断UPS电源和电机频率控制。IBGT的应用范围很广，从变频空调到静音冰箱，洗衣机，电磁炉和微波炉。于机车的电力牵引系统来说太大了密不可分。IGBT还广泛用于机载跟踪系统，航母，雷达和其他军事系统。前，国家IGBT产品依赖进口。IGBT国外产品已量产。
家IGBT仍处于发展阶段。国外相比，IGBT制造技术至少比计划落后十年，并且IGBT的位置非常紧迫。此，IBGT研究的发展对中国国民经济和国防工业的发展具有重要意义[5]。
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